Samsung bắt đầu sản xuất chip 3nm, Apple chậm hơn 1 bước

Samsung Foundry đã chính thức đưa ra thông báo bắt đầu sản xuất hàng loạt chip thế hệ đầu tiên trên công nghệ 3nm. Chip này dựa trên kiến trúc bóng bán dẫn GAA (Gate-All-Around) mới, là bước tiếp theo sau FinFET.

Samsung bắt đầu sản xuất chip 3nm.

So với chip 5nm, chip 3nm thế hệ đầu tiên của Samsung có thể cung cấp hiệu suất tốt hơn tới 23%, tiết kiệm tới 45% điện năng tiêu thụ và giảm 16% diện tích bề mặt.

Dự kiến, chip 3nm thế hệ thứ hai của Samsung sẽ còn ấn tượng hơn so với chip 5nm, có thểtiết kiệm được 50% mức tiêu thụ điện năng, cải thiện đến 30% hiệu suất và giảm 35% diện tích.

Samsung hiện đang đi trước TSMC.

Với động thái này, Samsung hiện đang đi trước TSMC - nhà sản xuất chip của Apple, sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt chip 3nm vào nửa cuối năm nay.

Thiết kế bóng bán dẫn Gate-All-Around (GAA) cho phép xưởng đúc thu nhỏ các bóng bán dẫn mà không làm ảnh hưởng đến khả năng mang dòng điện của chúng. Sau thiết kế GAAFET được sử dụng trong chip 3nm sẽ là thiết kế MBCFET tiên tiến hơn.

Dòng Galaxy S23 sẽ được tích hợp chip 3nm.

Dự kiến, chip 3nm thế hệ đầu tiên sẽ được Samsung tích hợp cho dòng Galaxy S23, sẵn sàng “đối đầu” với iPhone 15Series của Apple trong năm 2023.